半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：曾我道照 , 曾我道治 , 古川秀利 , 鈴木憲七 , 梶並順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-027309
公開番号（公開出願番号）：特開2005-184025
出願日： 2005年02月03日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】金属ペースト材料を用いて電極を形成する場合に、半田付けで配線を行う際の半田との付着強度を高めることができる簡便でかつ信頼性の高い電極形成が可能な半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】接合を有する半導体基板1に電極を形成するに当たり、開口部を有するアルミペースト電極3のパターンを先に形成した後、該開口部上に銀アルミペースト電極7もしくは銀ペースト電極5のパターンの一部に重なるように形成することで、開口部上に銀アルミペースト電極7もしくは銀ペースト電極5は、アルミペースト電極3と合金化されずに半田との付着強度を高めることができると共に、各金属ペーストパターンの重なり合う領域が合金化されることで電極パターン間の電気的接続がなされて電極間の接続の確実性を向上できる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

接合を有する半導体基板に電極を形成する半導体装置の製造方法において、基板に第1の金属ペースト材料を用いて所定の開口部を有する第1の電極パターンを形成する工程と、上記第1の電極パターンを形成した後、上記第1の金属ペースト材料より半田との付着強度が高い第2の金属ペースト材料を用いて上記開口部周辺の上記第1の金属ペースト材料の一部と重なるようにして上記開口部に第2の電極パターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L31/04 , H01L21/28 , H01L21/288

FI (3件)：

H01L31/04 H , H01L21/28 301R , H01L21/288 Z

Fターム (22件)：

4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104BB08 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104GG05 , 4M104HH08 , 5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051BA14 , 5F051CB03 , 5F051CB05 , 5F051CB20 , 5F051CB27 , 5F051DA03 , 5F051FA10 , 5F051FA15 , 5F051FA18 , 5F051GA04

引用特許：

出願人引用 (14件)

特表昭58-502078
特表平5-502759
特表平5-502556

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審査官引用 (19件)

特表昭58-502078
特表昭58-502078
特表平5-502759

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