特許

J-GLOBAL ID：201203091493933228

成膜方法および記憶媒体

発明者： 東雲 秀司 ,  小島 康彦
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-038773
公開番号（公開出願番号）：特開2012-172250
出願日： 2011年02月24日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：

【課題】成膜原料としてCo2(CO)8を用いてCo膜を成膜する場合に、Co膜の針状の異常成長を抑制することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】処理容器1内に基板Wを配置し、基板Wの温度を160〜300°Cとし、処理容器1内に気体状のCo2(CO)8を供給し、基板W上でCo2(CO)8を熱分解させて基板W上にCo膜を成膜する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

処理容器内に基板を配置し、前記基板の温度を160〜300°Cとし、前記処理容器内に気体状のCo2(CO)8を供給し、前記基板上でCo2(CO)8を熱分解させて前記基板上にCo膜を成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 16/16 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

C23C16/16 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R

Fターム (25件)：

4K030AA12 ,  4K030AA14 ,  4K030BA05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030DA08 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030KA23 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD52 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• コバルトカルボニル錯体組成物及びコバルト膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-267296   出願人：JSR株式会社
• 金属カルボニル前駆体からの金属層の成膜速度を上げる方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-543038   出願人：東京エレクトロン株式会社, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレイション
• 金属カルボニル前駆体から金属層を堆積する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-543036   出願人：東京エレクトロン株式会社, ト-キョ-・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド
• 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して金属層を形成する方法。
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-533889   出願人：東京エレクトロン株式会社, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション