表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-229226
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109359
出願日： 2009年10月01日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するICチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用いた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

画素部と駆動回路とを有し、前記画素部は、少なくとも第1の酸化物半導体層を有する第1の薄膜トランジスタを有し、前記駆動回路は、少なくとも第2の酸化物半導体層を有する第2の薄膜トランジスタと、第3の酸化物半導体層を有する第3の薄膜トランジスタとを有し、前記第2の酸化物半導体層の下方に設けられた前記第2の薄膜トランジスタのゲート電極と直接接する配線が、前記第3の酸化物半導体層の上方に設けられ、前記配線は、前記第3の酸化物半導体層と電気的に接続する前記第3の薄膜トランジスタのソース配線又はドレイン配線であることを特徴とする表示装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , G02F 1/134 , G02F 1/136

FI (4件)：

H01L29/78 612B , H01L29/78 618B , G02F1/1345 , G02F1/1368

Fターム (83件)：

2H092GA29 , 2H092GA43 , 2H092GA51 , 2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA36 , 2H092JA40 , 2H092JA46 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA07 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB22 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092NA27 , 5F110AA04 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK16 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK41 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN73 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (9件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-126320 出願人：凸版印刷株式会社
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-262991 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-348904 出願人：カシオ計算機株式会社

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