半導体圧力センサ

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：三好秀和 , 伊藤正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-279313
公開番号（公開出願番号）：特開2012-127792
出願日： 2010年12月15日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：

【課題】構成の小型化、製造工程の簡略化を達成し得る半導体圧力センサを提供することを課題とする。【解決手段】半導体基板13のダイヤフラム部12に形成された複数のn型半導体領域21と、各n型半導体領域21のそれぞれに対応してn型半導体領域21内に形成されたピエゾ抵抗素子R1〜R4と、絶縁体薄膜層22を介して各ピエゾ抵抗素子R1〜R4上に形成された導電性のシールド薄膜層23とを有し、複数のピエゾ抵抗素子R1〜R4がホイートストンブリッジ回路を構成する半導体圧力センサ11において、n型半導体領域21とピエゾ抵抗素子R1〜R4上に形成されたシールド薄膜層23とは、ダイヤフラム部12に形成されたコンタクト部24によって電気的に接続されていることを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板の一部が薄肉化されて受圧部となるダイヤフラム部に形成された複数のn型半導体領域と、前記各n型半導体領域のそれぞれに対応して前記n型半導体領域内に形成されたピエゾ抵抗素子と、絶縁体薄膜層を介して前記各ピエゾ抵抗素子上に形成された導電性のシールド薄膜層とを有し、前記複数のピエゾ抵抗素子がホイートストンブリッジ回路を構成する半導体圧力センサにおいて、前記n型半導体領域と、前記n型半導体領域に形成された前記ピエゾ抵抗素子上に形成された前記シールド薄膜層とは、コンタクト部によって電気的に接続され、前記コンタクト部は、前記ダイヤフラム部に形成されていることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/00 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01L9/00 303Q , H01L29/84 B , H01L29/84 A

Fターム (21件)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF43 , 2F055GG11 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA01 , 4M112CA03 , 4M112CA04 , 4M112CA09 , 4M112CA11 , 4M112CA12 , 4M112CA13 , 4M112CA14 , 4M112EA04 , 4M112EA11 , 4M112FA05 , 4M112FA20

引用特許：

審査官引用 (4件)

圧力センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-019189 出願人：山武ハネウエル株式会社
圧力センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-024956 出願人：三菱電機株式会社
歪検出センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-321793 出願人：株式会社日立製作所

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