特許
J-GLOBAL ID：201203092752358829

半導体装置

発明者：
工藤 良太郎

工藤 良太郎 について

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長澤 俊夫

長澤 俊夫 について

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千葉 真

千葉 真 について

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白井 伸幸

白井 伸幸 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-255728
公開番号（公開出願番号）：特開2012-074720
出願日： 2011年11月24日
公開日（公表日）： 2012年04月12日
要約：
【課題】1パッケージ化に好適で、高性能で多様な電源装置に適用可能な半導体装置を提供する。【解決手段】第1、第2及び第3半導体チップが1つのパッケージに搭載される。第1と第2半導体チップは、第1、第2パワー出力MOSFETである。第3半導体チップは、各パワーMOSFETを駆動する駆動回路と、それにより形成された出力電流が流れるようにされたインダクタとキャパシタで形成された直流電圧が所望電圧の出力電圧になるようなスイッチング制御信号を形成して駆動回路に伝える制御回路とを含む。第1パワーMOSFETは、第1電源端子の入力電圧から上記インダクタに流す電流を形成し、第3半導体チップの駆動回路と制御回路は、第2電源端子から供給される電源電圧で動作する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1半導体チップと、 第2半導体チップと、 第3半導体チップとが1つのパッケージ形態とされ、 上記第1半導体チップは、第1パワーMOSFETであり、 上記第2半導体チップは、第2パワーMOSFETであり、 上記第3半導体チップは、 上記第1、第2パワーMOSFETを駆動する駆動回路と、 上記第1、第2パワーMOSFETで形成された出力電流が流れるようにされたインダクタとキャパシタで形成された直流電圧が、所望電圧になるようなスイッチング制御信号を生成し、上記駆動回路に出力する制御回路とを有し、 上記第1パワーMOSFETは、第1電源端子の入力電圧から上記インダクタに流す電流を形成し、 上記第3半導体チップの上記駆動回路と制御回路は、第2電源端子から供給される電源電圧で動作する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H02M 3/155
FI (3件)：
H01L25/04 C ,  H02M3/155 Y ,  H02M3/155 P
Fターム (15件)：
5H730AA15 ,  5H730AS01 ,  5H730AS05 ,  5H730BB13 ,  5H730BB57 ,  5H730DD04 ,  5H730FD01 ,  5H730FD31 ,  5H730FF01 ,  5H730FG05 ,  5H730XX04 ,  5H730XX15 ,  5H730XX26 ,  5H730XX35 ,  5H730ZZ01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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