特許

J-GLOBAL ID：201203093650100750

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 小川 雲龍 ,  奥野 正久 ,  赤尾 徳信 ,  八島 伸二 ,  梅川 純史 ,  南 嘉一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-151654
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124456
出願日： 2011年07月08日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：

【課題】基板温度の上昇を抑えサーマルバジェットを抑制しつつ、基板を均一に加熱することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、マイクロ波源から供給されたマイクロ波を処理室に輻射するマイクロ波輻射部を有し、前記マイクロ波輻射部は回転するよう構成され、前記基板支持部で支持された基板の処理面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記マイクロ波供給部と前記基板支持部の間に設けた仕切りと、前記基板支持部に設けた冷却部と、各構成を制御する制御部とを備える基板処理装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、 前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、 マイクロ波源から供給されたマイクロ波を処理室に輻射するマイクロ波輻射部を有し、前記マイクロ波輻射部は回転するよう構成され、前記基板支持部で支持された基板の処理面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、 前記マイクロ波供給部と前記基板支持部の間に設けた仕切りと、 前記基板支持部に設けた冷却部と、 各構成を制御する制御部と を備える基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268

FI (4件)：

H01L21/31 E ,  H01L21/316 X ,  H01L21/265 602Z ,  H01L21/268 Z

Fターム (16件)：

5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045EJ03 ,  5F045EK02 ,  5F045EM01 ,  5F045EM06 ,  5F045EM10 ,  5F045HA16 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04

引用特許：

出願人引用 (4件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-091832   出願人：株式会社日立製作所
• 誘導式マイクロ波照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-207893   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
• 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-077943   出願人：東京エレクトロン株式会社
• プラズマ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-041566   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-091832   出願人：株式会社日立製作所
• 誘導式マイクロ波照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-207893   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
• 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-077943   出願人：東京エレクトロン株式会社
• プラズマ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-041566   出願人：日本電気株式会社