特許
J-GLOBAL ID:201203093995304073

合金材料、回路基板、電子デバイス及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 阿部 美次郎 ,  江頭 達哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-033496
公開番号(公開出願番号):特開2012-172178
出願日: 2011年02月18日
公開日(公表日): 2012年09月10日
要約:
【課題】凝固点が低く低温溶融作業が可能でありながら、凝固後の融解点が高くなる温度階層(hierarchy)を有する電気伝導体用合金材料、この合金材料による電気伝導体を有する回路基板、この回路基板を用いた電子デバイス及びそれらの製造方法を提供すること。【解決手段】微細空間を充填する合金材料であって、Biと、Snと、Agとを含有し、融解点が257°C以上で、凝固点が240°C以下である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
微細空間を充填する合金材料であって、Biと、Snと、Agとを含有し、融解点が257°C以上で、凝固点が240°C以下である、合金材料。
IPC (6件):
C22C 12/00 ,  B23K 35/26 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532
FI (4件):
C22C12/00 ,  B23K35/26 310C ,  H01L21/88 J ,  H01L21/88 M
Fターム (7件):
5F033JJ07 ,  5F033MM30 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04
引用特許:
審査官引用 (5件)
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