特許
J-GLOBAL ID：201203095353910428
炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶ウエハ、炭化珪素半導体素子の製造方法、炭化珪素半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
栗原 浩之
, 村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-011433
公開番号（公開出願番号）：特開2012-153543
出願日： 2011年01月21日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：
【課題】 貫通らせん転位の密度を減らした領域を特定する。【解決手段】基底面(0001)より傾斜角の大きいストライプ2の傾斜面2aを貫通する貫通らせん転位4を基底面内の欠陥4aに構造転換し、傾斜面2aの間で欠陥4aを貫通らせん転位と同方向へ伝播させ、ストライプ2の上側をc軸方向に貫通らせん転位4が貫通しない部位(c軸方向に貫通する欠陥の密度を減らした領域)x1として特定する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基底面(0001)より80°以下の傾斜角を保って延びる傾斜面を備えたストライプの凸断面を有し、前記トライプの上に炭化珪素層を新たに成長させた際に、c軸方向に貫通する転位をストライプの部位でc軸に対して交差する方向の欠陥に変換させることで、ストライプ上の成長面をc軸方向に貫通する欠陥の密度が低い領域とする
ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077DB04
, 4G077DB07
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE02
, 4G077EE07
, 4G077EF03
, 4G077HA06
, 4G077HA12
