特許
J-GLOBAL ID：200903085000622975
炭化珪素単結晶、炭化珪素基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-169640
公開番号（公開出願番号）：特開2005-350278
出願日： 2004年06月08日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 マイクロパイプ欠陥,螺旋転位,及び刃状転位をほとんど含まず,大口径高品質の炭化珪素単結晶、炭化珪素基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】{0001}面から傾斜角度1°〜90°傾いた面を成長面とする複数の炭化珪素単結晶を、上記成長面が互いに相対するように一定の間隔をおいて配置し、上記成長面上に炭化珪素単結晶を成長させて上記間隔を炭化珪素単結晶で満たした成長結晶を作製する。次に、上記成長面の法線ベクトルを{0001}面に投影したベクトルの方向とのなす角度が45°から135°の範囲となるベクトルの方向を法線ベクトルとした面を成長面とする複数の炭化珪素単結晶を、上記成長面が互いに相対するように一定の間隔をおいて配置し、上記成長面上に炭化珪素単結晶を成長させて上記間隔を炭化珪素単結晶で満たした成長結晶を作製する。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶の表面に炭化珪素単結晶を成長させ炭化珪素基板を製造する炭化珪素基板の製造方法において、
{0001}面から傾斜角度1°〜90°傾いた面を成長面とする複数の炭化珪素単結晶を、前記成長面が互いに相対するように一定の間隔をおいて配置する工程と、
前記成長面上に炭化珪素単結晶を成長させて前記間隔を炭化珪素単結晶で満たす工程とを含む工程を1サイクルとして、Nサイクル(NはN≧2の自然数)行い、
第nサイクル(nはn≦N-1の任意の自然数)における成長面の法線ベクトルを{0001}面に投影したベクトルの方向と、
第(n+1)サイクルにおける成長面の法線ベクトルを{0001}面に投影したベクトルの方向とのなす角度が45°から135°の範囲となるように成長面の方位の変更を含むことを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DB01
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077HA12
, 4G077TC12
, 4G077TC17
, 4G077TK01
, 4G077TK04
, 4G077TK06
