化合物単結晶の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-256282
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068654
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】炭化珪素や窒化ガリウムなどの化合物半導体単結晶を、エピタキシャル成長法を利用して製造する方法であって、面欠陥密度がより低い化合物単結晶を得ることができる方法を提供すること。【解決手段】単結晶基板の表面にこの基板と同一または異なる化合物単結晶層の2層以上を順次エピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法。前記基板表面の少なくとも一部が一方向に延在する複数の起伏を有し、かつ2回目以降のエピタキシャル成長は、直前に形成された化合物単結晶層の表面の少なくとも一部に一方向に延在する複数の起伏を形成した後に行う。

請求項（抜粋）：

単結晶基板の表面にこの基板と同一または異なる化合物単結晶層の2層以上を順次エピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、前記基板表面の少なくとも一部が一方向に延在する複数の起伏を有し、かつ2回目以降のエピタキシャル成長は、直前に形成された化合物単結晶層の表面の少なくとも一部に一方向に延在する複数の起伏を形成した後に行うことを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/32 , C23C 16/34 , C30B 29/36 , C30B 29/38 , H01L 21/20

FI (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/32 , C23C 16/34 , C30B 29/36 A , C30B 29/38 D , H01L 21/20

Fターム (59件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077DB07 , 4G077DB08 , 4G077DB13 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077EE05 , 4G077EE06 , 4G077EF01 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030BA37 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030LA12 , 4K030LA14 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AA20 , 5F045AB06 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB32 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD17 , 5F045AD18 , 5F045AE17 , 5F045AF02 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045GH02 , 5F045GH05 , 5F045HA01 , 5F045HA04 , 5F052DA04 , 5F052DA10 , 5F052GC01 , 5F052GC03 , 5F052HA08 , 5F052KA01 , 5F052KA05

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-116072 出願人：松下電子工業株式会社
半導体基材及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335591 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-133844 出願人：松下電子工業株式会社

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