特許
J-GLOBAL ID：201203095936475975

太陽光発電装置及びその製造方法

発明者：
ジー、 ソク ジェ

ジー、 ソク ジェ について

, 
リー、 ドン クン

リー、 ドン クン について


出願人/特許権者：
エルジー イノテック カンパニー リミテッド

エルジー イノテック カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-503326
公開番号（公開出願番号）：特表2012-522393
出願日： 2010年03月30日
公開日（公表日）： 2012年09月20日
要約：
太陽光発電装置及びその製造方法が開示される。太陽光発電装置は、基板、上記基板の上に配置され、第1貫通溝が形成された電極層、上記電極層の上に配置され、上記第1貫通溝に隣接する第2貫通溝が形成された光吸収層、及び上記光吸収層の上に配置され、上記第2貫通溝と重畳する第3貫通溝が形成されたウィンドウ層を含む。太陽光発電装置は、第2貫通溝及び第3貫通溝が互いに重畳するため、非活性領域であるデッドゾーン(dead zone)の面積を減少させ、向上した発電効率を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の上に配置され、第1貫通溝が形成された電極層と、 前記電極層の上に配置され、第2貫通溝が形成された光吸収層と、 前記光吸収層の上に配置され、前記第2貫通溝と重畳する第3貫通溝が形成されたウィンドウ層と、 を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。
IPC (1件)：
H01L 31/042
FI (1件)：
H01L31/04 C
Fターム (12件)：
5F151AA10 ,  5F151CB15 ,  5F151EA03 ,  5F151EA09 ,  5F151EA10 ,  5F151EA11 ,  5F151EA16 ,  5F151EA19 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151GA02 ,  5F151GA03
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM