特許
J-GLOBAL ID：201203096583684679

ナノインプリントリソグラフィ用モールド、およびその製造方法

発明者：
市村 公二

市村 公二 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (6件)： 金山 聡 ,  深町 圭子 ,  伊藤 英生 ,  藤枡 裕実 ,  後藤 直樹 ,  伊藤 裕介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-284980
公開番号（公開出願番号）：特開2012-134319
出願日： 2010年12月21日
公開日（公表日）： 2012年07月12日
要約：
【課題】 本発明は、モールドの製造に複雑な工程を追加することなく、簡便な手法で、ネームマーク等が被転写基板や樹脂と接触するという問題を解消したナノインプリントリソグラフィ用モールド、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】 転写領域を上面とするメサ構造を形成するために非転写領域を掘り下げるエッチング工程において、同時にネームマーク等を構成する識別構造体を形成し、前記識別構造体形成用のエッチングマスクを、前記転写領域を上面とするメサ構造の高さに応じた特定の大きさに形成することにより、上記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、転写領域を上面とするメサ構造と、前記メサ構造の周辺に非転写領域とを有するナノインプリントリソグラフィ用モールドであって、 前記非転写領域には、略三角形状の断面を有するライン状若しくはドット状の構造体の群からなる識別構造体が形成されており、前記識別構造体の高さが、前記転写領域を上面とするメサ構造の高さよりも低く形成されていることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用モールド。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  B29C 59/02 ,  B29C 33/38
FI (3件)：
H01L21/30 502D ,  B29C59/02 B ,  B29C33/38
Fターム (17件)：
4F202AA33 ,  4F202AF01 ,  4F202AH33 ,  4F202AJ08 ,  4F202CA01 ,  4F202CA19 ,  4F202CB01 ,  4F202CK28 ,  4F209AH33 ,  4F209AJ08 ,  4F209AM19 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC06 ,  4F209PQ11 ,  5F046AA28 ,  5F146AA28
引用特許：
審査官引用 (4件)
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