位置合わせ方法および加工装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-261911
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085501
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】ナノメートルレベルの精度の加工を可能とする、マスクや原盤と基板の位置合わせの方法および加工装置を提供すること。【解決手段】パターンが形成されたマスク21もしくは原盤を保持する手段と、加工される基板31を保持する手段と、マスク21もしくは原盤と基板31の特定箇所にセルフアライン部位を有し、マスク21もしくは原盤と基板31の相対位置の測定を、?@マスク21もしくは原盤上、あるいは基板31上に形成された、相対位置を光干渉法で光学的に検出する方法?Aマスク21もしくは原盤上、あるいは基板31上に形成された、蛍光物質と蛍光消光物質の距離による蛍光強度の変化を検出する方法?Bマスク21もしくは原盤上、あるいは基板上に形成された、相対位置を検出するAFMまたはSTMの?@から?Bのいずれかの方法で行うことを特徴とする位置合わせ方法。

請求項（抜粋）：

パターンが形成されたマスクもしくは原盤を保持する手段と、加工される基板を保持する手段と、マスクもしくは原盤と基板の特定箇所にセルフアライン部位を有し、マスクもしくは原盤と基板の相対位置の測定を、マスクもしくは原盤上あるいは基板上に形成された相対位置を光干渉法で光学的に検出するか、マスクもしくは原盤上あるいは基板上に形成された蛍光物質と蛍光消光物質の距離による蛍光強度の変化を検出するか、またはマスクもしくは原盤上あるいは基板上に形成された相対位置を検出するAFMもしくはSTMのいずれかの方法で行うことを特徴とする位置合わせ方法。

IPC (2件)：

H01L 21/68 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/68 F , H01L 21/30 525 E

Fターム (22件)：

5F031CA07 , 5F031JA02 , 5F031JA22 , 5F031JA38 , 5F031JA50 , 5F031KA11 , 5F031MA27 , 5F046AA28 , 5F046BA02 , 5F046BA10 , 5F046CC01 , 5F046CC02 , 5F046CC03 , 5F046CC05 , 5F046EA13 , 5F046EA18 , 5F046EA21 , 5F046EB01 , 5F046EB02 , 5F046FA05 , 5F046FA17 , 5F046FA20

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭60-214531
特開昭49-048404
特開平4-342112

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