特許

J-GLOBAL ID：201203097358919582

半導体基板、半導体デバイスおよび半導体基板の製造方法

発明者： 佐沢 洋幸 ,  秦 雅彦
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (2件)： 龍華国際特許業務法人 ,  林 茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-174364
公開番号（公開出願番号）：特開2012-060110
出願日： 2011年08月09日
公開日（公表日）： 2012年03月22日
要約：

【課題】阻害層を用いて選択エピタキシャル成長させた窒化物半導体結晶のように、結晶中にSi原子またはO原子を含んでしまう半導体結晶であっても、抵抗を高くし、抵抗の精密な制御が必要な電子デバイスにも用いることができる半導体結晶を提供する。【解決手段】ベース基板と、ベース基板の上または上方に形成された第1結晶層とを有し、第1結晶層が、酸素原子およびシリコン原子からなる群より選択された少なくとも1つの原子である第1原子と、アクセプタとして機能する少なくとも1つの原子である第2原子とを含む3-5族化合物半導体層である半導体基板を提供する。半導体基板は、ベース基板の上または上方に形成された阻害層を更に有してよい。阻害層は開口を有し、阻害層は結晶成長を阻害し、阻害層は第1原子を含み、第1結晶層は、開口に形成される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ベース基板と、 前記ベース基板の上または上方に形成された第1結晶層とを有し、 前記第1結晶層は、酸素原子およびシリコン原子からなる群より選択された少なくとも1つの原子である第1原子と、アクセプタとして機能する少なくとも1つの原子である第2原子とを含む3-5族化合物半導体層である 半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (24件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK05 ,  5F102GK06 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 高電子移動度トランジスタ、電界効果トランジスタ、エピタキシャル基板、エピタキシャル基板を作製する方法およびIII族窒化物系トランジスタを作製する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-154406   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系半導体装置を製造する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-054172   出願人：住友電気工業株式会社
• GaNバッファ層におけるドーパント拡散変調
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2012-504808   出願人：エフィシエントパワーコンヴァーションコーポレーション