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J-GLOBAL ID：201302200454171792   整理番号：13A1172195

ゲル濾過によるマイクロメートル長の高純度半導性カーボンナノチューブの高速な単一段階分離

Rapid Single-Stage Separation of Micrometer-Long and High-Purity Semiconducting Carbon Nanotubes by Gel Filtration

著者 (7件)： THENDIE Boanerges (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYATA Yasumitsu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KITAURA Ryo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYAUCHI Yuhei (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MIYAUCHI Yuhei (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  MATSUDA Kazunari (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SHINOHARA Hisanori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 6  ページ： 065101.1-065101.4  発行年： 2013年06月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一段階のゲル濾過により,高純度の長い半導性単層カーボンナノチューブ(s-SWCNT)の分離を実証した。半導性SWCNTはアリルデキストラン系ゲルカラム上に優先的に吸着し,次にナノチューブの長さと電子型のナノチューブに依存する速度で表面活性剤溶液により溶離した。これらの違いにより,溶出液を分画化して収集することにより,長さで分類し,純度が高くなったs-SWCNTの分離が可能になる。これからエレクトロニクスデバイスに応用するため希望するナノチューブが得られる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導性 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  ゲル浸透クロマトグラフィー ,  高純度物質 ,  デキストラン ,  ゲル ,  溶出 ,  溶離液 ,  分離 ,  長さ
準シソーラス用語： *ゲル濾過 ,  溶離

分類 (1件)： 各種物理的手法  (CC01030W)

引用文献 (27件)：

• OKIMOTO, H. Adv. Mater. 2010, 22, 3981
• CAO, Q. Adv. Mater. 2009, 21, 29
• ASADA, Y. Adv. Mater. 2010, 22, 2698
• DURKOP, T. Nano Lett. 2004, 4, 35
• MIYATA, Y. Nano Res. 2011, 4, 963

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲル濾過 ,  高純度 ,  半導性 ,  カーボンナノチューブ ,  段階