室温で大きな膜厚依存スイッチング比を示す電解質ゲートSmCoO3薄膜トランジスタ

XIANG Ping-Hua; XIANG Ping-Hua; ASANUMA Shutaro; ASANUMA Shutaro; YAMADA Hiroyuki; SATO Hiroshi; INOUE Isao H.; AKOH Hiroshi; AKOH Hiroshi; SAWA Akihito; KAWASAKI Masashi; IWASA Yoshihiro

文献

J-GLOBAL ID：201302213683594480 整理番号：13A0956841

室温で大きな膜厚依存スイッチング比を示す電解質ゲートSmCoO₃薄膜トランジスタ

Electrolyte-Gated SmCoO₃ Thin-Film Transistors Exhibiting Thickness-Dependent Large Switching Ratio at Room Temperature

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資料名：
巻： 25 号： 15 ページ： 2158-2161 発行年： 2013年04月18日
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

Mott型トランジスタ形成のためにペロブスカイト型カルシウム添加コバルト酸サマリウム塩(Sm1-xCaxCoO3)(SCCO)を用いた系を調べた。xの増加により抵抗値は顕著に低下し,x<0.02の少量添加でも300Kで明瞭なMott転移を認めた。非ドープSCCO(SCO)およびイオン液体(DEME+BF4-,DEME=N,N-ジエチル-N-メチル-N-2-メトキシエチルアンモニウム)を用いて電気二重層(EDL)型Mottトランジスタ(SCO-EDLT)を形成しゲート電圧(VG)特性を確認した。SCO層膜厚(チャンネル層厚)tを減少するとVGに対するドレイン電流(ID)のON/OFF比rが顕著に増大し,t=4nmでは室温でもr>250(VG=0および-2V)となった。SCOのThomas-Fermi遮蔽距離は約5nmと推定した。初めての二次元Mottトランジスターを形成できた。

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トランジスタ , 塩基,金属酸化物 , その他の半導体を含む系の接触

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