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J-GLOBAL ID:201302218815987373   整理番号:12A1791411

透明導電膜の実用化と新機能開拓-赤外まで透明なSnO2透明導電膜の開発

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巻: 12  号: 12  ページ: 33-35  発行年: 2012年12月10日 
JST資料番号: L4328A  ISSN: 1346-0986  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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波長1400nmまでを有効利用できるような次世代太陽電池用として,赤外まで透明なSnO2透明導電膜の開発を行った。ガラス基板上にアナターゼ型TiO2シード層を作製し,その上にSnO2薄膜成長をパルスレーザ蒸着(PLD)法で行うと移動度80cm2V-1s-1以上の高移動度SnO2透明導電性膜が得られることが分った。このSnO2薄膜は,近赤外領域においても高い透過率を維持し,波長1950nmまで透過率70%以上であった。また,この技術の実用化に向けてスパッタ法による大面積基板への成膜を試みた結果,cmオーダーの薄膜の作製が可能となったが,移動度は最高49cm2V-1s-1であり,PLD膜の7割程度であり,更なる工夫が必要であることが分った。
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分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導 
タイトルに関連する用語 (5件):
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