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J-GLOBAL ID：201302220425189233   整理番号：13A0827921

金属(CoSi₂)層上で成長させたSi/CaF₂/CdF₂ 量子井戸構造の抵抗スイッチングメモリ特性

Resistance Switching Memory Characteristics of Si/CaF₂/CdF₂ Quantum-Well Structures Grown on Metal (CoSi₂) Layer

著者 (3件)： DENDA Junya (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  URYU Kazuya (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  WATANABE Masahiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 4,Issue 2  ページ： 04CJ07.1-04CJ07.4  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板に形成したCoSi₂層上で成長させたSi/CaF₂/CdF₂フッ化/Si量子井戸構造を用いて製造した抵抗スイチングランダムアクセスメモリー(ReRAM)素子に関する新規技術を提案し,室温での初期書き込み/消去動作を実証した。Si上でCoSi₂層を形成するための酸化物媒介エピタクシー(OME)法によって,電流-電圧(I-V)曲線の安定性,及び,再現性が劇的に改善することが分かった。本手法は,過酸化物ベース溶液中の沸騰により調製した保護酸化物上の10nm厚のCo層蒸着と,続く30分間の550°Cでのアニーリングによる超高真空中のケイ素化を含む。Si/CaF₂/CdF₂ /Si構造の各層について厚さシーケンスが0.9/0.9/2.5/0.9/5.0nmの試料において,1Vより低いスイッチング電圧,最大電流密度32kA/cm²,及び,オン/オフ比10が観測された。表面形状解析結果の結果から,表面が平坦な結晶島構造の粒径が,素子特性の品質に著しく影響することが示唆された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ化物 ,  コバルト化合物 ,  *量子井戸 ,  金属薄膜 ,  *スイッチング ,  基板 ,  ケイ素 ,  フッ化カルシウム ,  カドミウム化合物 ,  フッ化物 ,  *RAM【メモリ】 ,  エピタクシー ,  薄膜成長 ,  *電流電圧特性 ,  熱処理 ,  保護膜 ,  比率 ,  電流密度 ,  *粒径
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  フッ化カドミウム ,  酸化物媒介エピタクシー ,  オンオフ比

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (25件)：

• 1) A. Izumi, N. Matsubara, Y. Kushida, K. Tsutsui, and N. S. Sokolov: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 1849.
• 2) M. Watanabe, Y. Aoki, W. Saitoh, and M. Tsuganezawa: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L116.
• 3) M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji, and N. Sakamaki: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L716.
• 4) T. Kanazawa, R. Fujii, T. Wada, Y. Suzuki, M. Watanabe, and M. Asada: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 092101.
• 5) T. Kanazawa, A. Morosawa, R. Fuji, T. Wada, M. Watanabe, and M. Asada: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 3388.

タイトルに関連する用語 (6件)： 層 ,  成長 ,  Si ,  CaF2 ,  量子井戸 ,  抵抗スイッチングメモリ