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J-GLOBAL ID：201302220451973007   整理番号：13A1656612

クラスタ抑制法を用いた高光安定アモルファスシリコンPIN太陽電池の作製

Fabrication of highly stable a-Si:H PIN solar cells using cluster suppression method

著者 (8件)： 古閑一憲 (九大) ,  橋本優史 (九大) ,  KIM Yeonwon (九大) ,  都甲将 (九大) ,  SEO Hyunwoong (九大) ,  板垣奈穂 (九大) ,  白谷正治 (九大) ,  内田儀一郎 (大阪大)
資料名： 電気学会プラズマ研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： PST-13  号： 74-85  ページ： 13-17  発行年： 2013年09月05日 
JST資料番号： Z0951A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 光安定なpin太陽電池を実現するため,マルチホロー放電プラズマCVD法を用いて,クラスタ取り込み量のその場計測,Schottky電池とpin電池を製作し,以下の結果を得た。1)マルチホロー放電プラズマCVD法におけるクラスタ取り込み量の膜厚分布の計測から,クラスタは放電初期に取り込まれており,定常状態での場合と比較して10倍程度以上であった。2)クラスタの初期取り込みのないSchottky電池では高い光安定性を示した。3)クラスタ取り込みを抑えたpin太陽電池を作製したところ,発電効率の劣化率が5%未満であり,高い光安定性を示した。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  プラズマCVD ,  安定性 ,  エネルギー変換効率 ,  アモルファスシリコン ,  シラン ,  ホロー陰極放電 ,  Schottky障壁 ,  PIN接合 ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： 光安定性 ,  *薄膜太陽電池 ,  発電効率 ,  *アモルファスシリコン太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (23件)：

• International Energy Agency, Trends in Photovoltaic Applications p.26 (2012).
• J. Meier, S. Dubail, R. Fluckiger, D. Fischer, H. Keppner, and A. Shah:“Intrinsic Microcrystalline Silicon (μc-Si:H) - a Promising New Thin Film Solar Cell Materialin”, Proc. 1st World Conf. Photovoltaic Energy Conversion, p.409 (1994).
• J. Meier, S. Dubail, J. Cuperus, U. Kroll, R. Plats, P. Torres, J. A. Selvan, P. Pernet, N. Beck, N. P. Vaucher, Ch. Hof, D. Fischer, H. Keppner, and A. Shah:“Recent progress in micromorph solar cells”, J. Non-Cryst. Solids 227-230 p.1250 (1998).
• Y. Nakano, S. Goya, T. Watanabe, N. Yamashita, and Y. Yonekura: “High-deposition-rate of microcrystalline silicon solar cell by using VHF PECVD”, Thin Solid Films 506-507 p.33 (2006).
• T. Soderstrom, F. J. Haug, V. Thrrazzoni-Daudrix, and C. Balif: “Flexible micromorph tandem a-Si/μc-Si solar cells”, J. Appl. Phys. 107 Art.No. 014507 (2010).

タイトルに関連する用語 (4件)： クラスタ ,  アモルファスシリコン ,  太陽電池 ,  作製