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J-GLOBAL ID：201302226056610378   整理番号：13A1418825

GaN/サファイアテンプレート上とAlN/Si(111)基板上に成長した中間In組成の有機金属気相エピタキシャルInGaNの比較研究

A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions of Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate

著者 (6件)： YAMAMOTO Akio (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  YAMAMOTO Akio (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  MIHARA Akihiro (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  ZHENG Yangdong (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  ZHENG Yangdong (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 8,Issue 2  ページ： 08JB19.1-08JB19.4  発行年： 2013年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN/サファイアテンプレート上とAlN/Si(111)基板上に中間In組成のInGaNの成長を比較研究した。水平反応器の有機金属気相エピタクシー(MOVPE)システムを使って,InGaN膜を600-800°Cの温度,150Torrの圧力で成長した。成長温度とトリメチルインジウム(トリメチルインジウム+トリエチルガリウム)モル比を最適化して,x=0-1の単結晶In_xGa_1-xNを両方の基板上に成長することに成功した。In組成が0.3以下で比較的高温(≧700°C)で成長した膜は,それらの膜厚が臨界値(0.25-0.4μm)を越えると相分離を示し,Im組成が0.35-0.5の600°Cで成長した試料は,厚みが0.7μmまで増大しても,相分離を見せなかった。成長した膜の結晶品質を評価するため,InGaN(0002)傾斜に対してX線ロッキングカーブ(XRC)のFWHMを測定した。GaN/α-Al₂O₃(0001)上とAlN/Si(111)上に成長した膜の間で傾斜データに大きい差はなかった。In含有量が0.35-0.5の600°Cで成長した試料では,傾斜データは劇的に増大し,幅広く散乱していることから,比較的低い温度で成長したInGaNの結晶品質を支配する重要な未知のパラメータが存在すると推測される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  ウエハ【IC】 ,  MOCVD ,  *半導体薄膜 ,  相分離 ,  品質 ,  X線回折 ,  ロッキングカーブ ,  FWHM ,  基板 ,  表面粗さ ,  *サファイア基板 ,  テンプレート【型板】 ,  結晶品質 ,  *窒化インジウムガリウム ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *MOVPE ,  *ケイ素基板

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (14件)：

• 1) V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, V. V. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmulier, H. Harima, A. V. Mudryi, A. Hashimoto, A. Yamamoto, J. Aderhold, J. Graul, and E. E. Haller: Phys. Status Solidi B 230 (2002) R4.
• 2) G. Popovici and H. Morkoc: in GaN and Related Materials II, ed. S. J. Pearton (Gordon and Breach, Dordrecht, 2000) p. 93.
• 3) I. Ho and G. B. Stringfellow: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 2701.
• 4) T. Nagatomo, T. Kuboyama, H. Minamino, and O. Omoto: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L1334.
• 5) N. Yoshimoto, T. Matsuoka, T. Sasaki, and A. Katsu: Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 2251.

タイトルに関連する用語 (10件)： GaN ,  サファイア ,  テンプレート ,  AlN ,  Si ,  成長 ,  組成 ,  有機金属気相エピタキシ ,  InGaN ,  研究