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J-GLOBAL ID：201302237307881009   整理番号：13A1079368

Si(100)表面への水素吸着と脱着の動力学

Kinetics of hydrogen adsorption and desorption on Si(100) surfaces

著者 (3件)： NARITA Yuzuru (Dep. of Electrical Engineering, Yamagata Univ., 4-3-16 Jonan, Yonezawa-shi, Yamagata 992-8510, JPN) ,  INANAGA Shoji (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Kyushu Inst. of Technol. 1-1 Sensui-cho, Tobata-ku, Kitakyushu-shi ...) ,  NAMIKI Akira (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Kyushu Inst. of Technol. 1-1 Sensui-cho, Tobata-ku, Kitakyushu-shi ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 113  号： 23  ページ： 234309-234309-8  発行年： 2013年06月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  水素化 ,  *水素吸蔵 ,  *脱着 ,  二量体 ,  反応経路 ,  ポテンシャルエネルギー ,  付着係数
準シソーラス用語： ダイマー ,  水素化反応 ,  *水素吸着 ,  水素終端 ,  *水素脱着 ,  付着確率

分類 (1件)： 固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  水素吸着 ,  脱着 ,  動力学