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J-GLOBAL ID：201302237670625324   整理番号：13A1165606

リン溶液のエキシマーレーザの照射による4H-SiCへのリンドーピング

Phosphorus Doping into 4H-SiC by Iradiation of Excimer Laser in Phosphoric Solution

著者 (4件)： NISHI Koji (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  IKEDA Akihiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  IKENOUE Hiroshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ASANO Tanemasa (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 6,Issue 2  ページ： 06GF02.1-06GF02.4  発行年： 2013年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リン酸溶液に浸漬された4H-SiCに,エキシマーレーザ光を照射して,4H-SiCにリンをドープする方法を開発した。KrFエキシマーレーザを用いた。その表面は,レーザ照射によってわずかに除去される。しかしながら,アモルファス層は,表面の近くで生成されない。リンは,結晶表面の近くに少なくとも1020cm^-3濃度で導入される。リン酸溶液中のレーザ照射は,金属と4H-SiCの間のオーム接触特性を著しく改良する。ホール効果測定は,シートキャリア濃度が2.25×10¹²cm^-2の表面でその照射がn型層を生成することを示す。更に,p型4H-SiCの照射によってpn接合を生成する。pn接合は,オン/オフ比8ディケード以上及び理想因子1.06の整流特性を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： エキシマレーザ ,  *レーザ照射 ,  レーザアブレーション ,  Ohm接触 ,  *炭化ケイ素 ,  リン ,  *ドーピング ,  PN接合 ,  比率 ,  電流電圧特性 ,  接触抵抗 ,  整流 ,  半導体薄膜 ,  層
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  オンオフ比 ,  半導体エピタキシャル層 ,  半導体ドーピング

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (30件)：

• 1) D. Peters, R. Schorner, K.H. Holzlein, and P. Friedrichs: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2996.
• 2) J. Spitz, M.R. Melloch, J.A. Cooper, and M.A. Capano: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 100.
• 3) A.K. Agarwal, J.B. Casady, L. Rowland, S. Seshadri, R. Siergiej, W. Valek, and C.D. Brandt: IEEE Electron Device Lett. 18 (1997) 518.
• 4) A. Ishitani and Y. Kawana. Semicond. FPD World 4 (2008) 63.
• 5) J.A. Cooper, M.R. Melloch, R. Singh, A. Agarwal, and J.W. Palmour: IEEE Trans. Electron Devices 49 (2002) 658.

タイトルに関連する用語 (4件)： リン ,  溶液 ,  エキシマーレーザ ,  ドーピング