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J-GLOBAL ID：201302237957213957   整理番号：13A0722031

SiおよびC放出模型を用いた亜大気圧でのSiC酸化物成長速度のモデル計算

Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model

著者 (4件)： HIJIKATA Yasuto (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  YAGI Shuhei (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  YAGUCHI Hiroyuki (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  YOSHIDA Sadafumi (AIST, Ibaraki, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 740/742  ページ： 833-836  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  放出 ,  模型 ,  大気圧 ,  SiC ,  酸化物 ,  成長速度 ,  モデル計算