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J-GLOBAL ID：201302241131268345   整理番号：13A1927970

国際宇宙ステーションでの結晶成長実験に関する溶融In_xGa_1-xSbの粘度測定

Viscosity Measurements of Molten In_xGa_1-xSb toward the Experiment of Semiconductor Crystal Growth on the ISS

著者 (7件)： 阪田薫穂 (宇宙航空研究開発機構(JAXA) 宇宙科学研) ,  向井碧 (エイ・イー・エス) ,  RAJESH Govindasamy (静岡大 電子工研) ,  ARIVANANDAN Mukannan (静岡大 電子工研) ,  稲富裕光 (宇宙航空研究開発機構(JAXA) 宇宙科学研) ,  石川毅彦 (宇宙航空研究開発機構(JAXA) 宇宙科学研) ,  早川泰弘 (静岡大 電子工研)
資料名： 熱物性  (日本熱物性学会会誌)
巻： 27  号： 4  ページ： 152-156  発行年： 2013年11月30日 
JST資料番号： X0597A  ISSN： 0913-946X  CODEN： NEBUE4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,混晶半導体であるIn_xGa_1-xSb(x=0,0.2,0.4,1.0)融液の粘度を回転振動法により測定した。粘度は結晶成長の数値計算に必須のパラメータの1つであり,数値計算の精度向上には粘度の組成依存性が必要となる。測定の結果,In_xGa_1-xSbにおいてもInSbやGaSbと同様に粘度はアレニウスの直線性を示すことが示された。また,In_xGa_1-xSbの粘度はGaSb,InSbの間の値となった。本研究は,国際宇宙ステーションで行われる混晶半導体結晶成長実験に関する数値計算のパラメータとして使用することを目的としている。(著者抄録)

シソーラス用語： *固溶体 ,  *化合物半導体 ,  *アンチモン化物 ,  インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *粘度 ,  計測 ,  振動 ,  化学組成 ,  *宇宙ステーション ,  *融液成長 ,  パラメータ ,  回転振動 ,  国際宇宙ステーション ,  *係数 ,  *輸送係数 ,  *度 ,  *飛翔体

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (9件)：

• M., Arivanandhan. "Bulk Growth of InGaSB Alloy semiconductor under Terrestrial Conditions: A Preliminary Study for Microgravity Experiments at ISS". Diffusion and Defect Forum. 2012, 323-325, 539-544
• G., Rajesh. "Effects of Solutal Convection on the Dissolution of GaSB into InSB Melt and Solute Transport Mechanism in InGaSB Solution: Numerical Simulations and in-sutu Observation Experiments". J. Cryst. Growth. 2011, 324, 157-162
• Y., Sato. "Viscosity of Molten Silicon and the Factors Affecting Measurement". J. Cryst. Growth. 2003, 249, 404-415
• V. M., Glazov. Liquid Semiconductors. 1969, 117-131
• K., Kakimoto. "Kinetic Study by Viscosity Measurements on Direct Synthesis of Gallium Antimonide". J. Appl. Phys.,. 1989, 66, 4181-4183

タイトルに関連する用語 (5件)： 宇宙ステーション ,  結晶成長 ,  実験 ,  溶融 ,  粘度測定