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J-GLOBAL ID：201102295941439926   整理番号：11A1087675

InSb溶融体中へのGaSbの溶解に及ぼす溶質対流の影響とInGaSb溶液中の溶質輸送メカニズム:数値的シミュレーションとin-situ観察実験

Effects of solutal convection on the dissolution of GaSb into InSb melt and solute transport mechanism in InGaSb solution: Numerical simulations and in-situ observation experiments

著者 (13件)： RAJESH G. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  ARIVANANDHAN M. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  SUZUKI N. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  TANAKA A. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  MORII H. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  AOKI T. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  KOYAMA T. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  MOMOSE Y. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  OZAWA T. (Dep. of Electrical Engineering, Shizuoka Inst. of Sci. and Technol., 2200-2 Toyozawa, Fukuroi, Shizuoka 437-8555, JPN) ,  INATOMI Y. (Inst. of Space and Astronautical Sci., Japan Aerospace Exploration Agency, 3-1-1 Yoshinodai, Sagamihara, Kanagawa ...) ,  TAKAGI Y. (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  OKANO Y. (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  HAYAKAWA Y. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 324  号： 1  ページ： 157-162  発行年： 2011年06月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InSb溶融体中へのGaSbの溶解工程を,有限体積法を用いた数値的シミュレーションによって検討した。更には溶解工程が,X線透過法によってin-situで観察された。サンプルの長方形状のGaSb(シード)/InSb/GaSb(フィード)サンドイッチ構造を,数値的分析の対象として用いて,更にサンプルの同一構造がX線透過法実験で用いられた。数値的分析と実験結果が比較的に解析された。これらの結果から,溶解したGaSbシード(低温領域における)の量は,フィード(高温領域における)のそれよりも大きいことが判明した。数値的シミュレーションの結果は,実験結果を良好に支援した。実験及びシミュレーションは共に,三元合金半導体結晶成長の溶解処理工程中における溶解工程と溶液中の組成物プロファイルへの深い洞察を提供する。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： アンチモン化インジウム ,  *アンチモン化ガリウム ,  アンチモン化物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  有限体積法 ,  数値解析 ,  X線検査 ,  サンドイッチ構造 ,  溶解度 ,  三元合金 ,  結晶成長 ,  *溶液成長 ,  化合物半導体 ,  *物質移動 ,  溶解
準シソーラス用語： アンチモン化ガリウムインジウム ,  *溶質輸送

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (14件)： InSb ,  溶融体 ,  GaSb ,  溶解 ,  溶質 ,  対流 ,  InGaSb ,  溶液 ,  溶質輸送 ,  メカニズム ,  数値 ,  シミュレーション ,  観察 ,  実験