文献

J-GLOBAL ID：201302243507377194   整理番号：13A0988551

平滑で化学量論的GaN表面を保持するための高温窒素プラスマエッチング

A High-Temperature Nitrogen Plasma Etching for Preserving Smooth and Stoichiometric GaN Surface

著者 (6件)： KOMETANI Ryosuke (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA Kenji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEDA Keigo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KONDO Hiroki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SEKINE Makoto (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HORI Masaru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 5  ページ： 056201.1-056201.4  発行年： 2013年05月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 600°Cまでの高温度におけるアルゴンと窒素のプラスマエッチング中窒化ガリウム物(GaN)薄膜の無損傷表面形態を報告した。およそ600°Cの高い基板温度でのArプラスマ衝撃でAr+イオン衝撃は,窒素の優先除去によりGa-N結合を分離し,これは,ガリウム原子の凝集によってGaN表面の粗度を促進する。N₂プラスマ衝撃で,N/Gaは,0.69以上の高い値で化学量論のままであり,そして,600°Cでさえ表面は有意に粗くならない。したがって,GaNのイオン増強エッチングの間,高基板温度で金属Gaの凝集は表面粗化を誘導する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 高温 ,  窒素 ,  *プラズマエッチング ,  アルゴン ,  *窒化ガリウム ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  *表面粗さ ,  凝集 ,  化合物半導体 ,  *平滑度 ,  *化学量論 ,  形態 ,  基板温度 ,  *イオン衝突 ,  表面形態

分類 (1件)： プラズマ応用  (BJ02110K)

引用文献 (35件)：

• NAKAMURA, S. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1687
• FANG, Z.-Q. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1562
• HAHN, H. Semicond. Sci. Technol. 2012, 27, 055004
• HASHIZUME, T. Appl. Surf. Sci. 2004, 234, 387
• MORKOC, H. J. Appl. Phys. 1994, 76, 1363

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  窒素 ,  プラスマ ,  エッチング