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J-GLOBAL ID：201302249625456145   整理番号：13A0311944

透過電子顕微鏡によるウエハー-接着InAs/Siヘテロ接合の研究

Investigation of Wafer-Bonded InAs/Si Heterojunction by Transmission Electron Microscopy

著者 (4件)： KANBE Hiroshi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  TADA Masanori (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  KOCHIGAHAMA Takuya (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  TANIWAKI Masafumi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 1,Issue 1  ページ： 011201.1-011201.5  発行年： 2013年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 350°Cのアニール温度で湿式ウエハー接着法で形成したInAs/Siヘテロ接合を透過電子顕微鏡(TEM)で研究した。InAsとSiは明視野TEM画像で2-μm-長の視野にボイドが無く一様に接着したのを観察した。高解像度のTEM画像は,nAsとSi格子画像の間に厚さ10-12nmの非晶質様構造を持つ転移層が存在することを明らかにした。転移層は,2つの結晶を原子的に結合する役割を果たした。高角度環状暗視野走査TEM画像で転移層は,異なる輝度の2層に分けられた。ヘテロ界面近傍の,In,As,SiとO原子の分布をエネルギー分散X線分光法によって調べた。転移層を含む厚さ20nmの中間層内でIn,AsとSi原子の量は,徐々に変わった。蓄積O原子を転移層に認めた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 透過型電子顕微鏡 ,  *ウエハ【IC】 ,  *接着 ,  ヒ化インジウム ,  ケイ素 ,  ヘテロ接合 ,  界面 ,  X線分光法 ,  格子 ,  焼なまし

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (22件)：

• 1) T. Sato, M. Mitsuhara, N. Nunoya, T. Fujisawa, K. Kasaya, F. Kano, and Y. Kondo: IEEE Photonics Technol. Lett. 20(2008)1045.
• 2) A.R. Marshall, C.H. Tan, M.J. Steer, and J.P.R. David: IEEE Photonics Technol. Lett. 21(2009)866.
• 3) A.R. Hawkins, T.E. Reynolds, D.E. England, D.I. Babic, M.J. Mondry, K. Streubel, and J.E. Bowers: Appl. Phys. Lett. 68(1996)3692.
• 4) Y. Kang, P. Mages, A.R. Clawson, P.K.L. Yu, M. Bitter, Z. Pan, A. Pauchard, S. Hummel, and Y.H. Lo: IEEE Photonics Technol. Lett. 14(2002)1593.
• 5) Y. Kang, M. Zadka, S. Litski, G. Sarid, M. Morse, M.J. Paniccia, Y.-H. Kuo, J. Bowers, A. Beling, H.-D. Liu, D.C. McIntosh, J. Campbell, and A. Pauchard: Opt. Express 16(2008)9365.

タイトルに関連する用語 (6件)： 透過電子顕微鏡 ,  ウエハー ,  InAs ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  研究