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文献
J-GLOBAL ID:201302249625456145   整理番号:13A0311944

透過電子顕微鏡によるウエハー-接着InAs/Siヘテロ接合の研究

Investigation of Wafer-Bonded InAs/Si Heterojunction by Transmission Electron Microscopy
著者 (4件):
資料名:
巻: 52  号: 1,Issue 1  ページ: 011201.1-011201.5  発行年: 2013年01月25日
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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350°Cのアニール温度で湿式ウエハー接着法で形成したInAs/Siヘテロ接合を透過電子顕微鏡(TEM)で研究した。InAsとSiは明視野TEM画像で2-μm-長の視野にボイドが無く一様に接着したのを観察した。高解像度のTEM画像は,nAsとSi格子画像の間に厚さ10-12nmの非晶質様構造を持つ転移層が存在することを明らかにした。転移層は,2つの結晶を原子的に結合する役割を果たした。高角度環状暗視野走査TEM画像で転移層は,異なる輝度の2層に分けられた。ヘテロ界面近傍の,In,As,SiとO原子の分布をエネルギー分散X線分光法によって調べた。転移層を含む厚さ20nmの中間層内でIn,AsとSi原子の量は,徐々に変わった。蓄積O原子を転移層に認めた。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 

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