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J-GLOBAL ID：200902235072018957   整理番号：09A0887028

InAs電子アバランシェフォトダイオードの極低過剰雑音

Extremely Low Excess Noise in InAs Electron Avalanche Photodiodes

著者 (4件)： MARSHALL Andrew R. J. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  TAN Chee Hing (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  STEER Mathew J. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  DAVID John P. R. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 21  号： 13/16  ページ： 866-868  発行年： 2009年07月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直径が異なる種々のInAs p-i-nとn-i-pダイオードのアバランシェ増倍雑音を室温で測定した。InAs p-i-nダイオードの過剰雑音の測定値から,増倍雑音がダイオードの直径に依存すること,小さいダイオードほど高雑音になることが示された。アバランシェ増幅過程が明らかに電子の衝撃イオン化よって支配され,高利得側では仮想的に利得無依存となった。主に正孔開始増倍に対する高過剰雑音指数の測定結果は,電子対正孔イオン化係数比がHg_1-xCd_xTe電子アバランシェフォトダイオードについて報告されている値と同程度であることを示唆した。

シソーラス用語： *アバランシェフォトダイオード ,  ヒ化インジウム ,  *雑音 ,  雑音指数 ,  PIN接合 ,  衝突イオン化
準シソーラス用語： *過剰雑音

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  電子 ,  アバランシェフォトダイオード ,  極 ,  過剰雑音