文献

J-GLOBAL ID：201302256219280130   整理番号：13A1418866

InGaNナノワイヤ中の内部量子効率の発光波長依存性

Emission Wavelength Dependence of Internal Quantum Efficiency in InGaN Nanowires

著者 (9件)： MUROTANI Hideaki (Toyota National Coll. Technol., Aichi, JPN) ,  ANDOH Hiroya (Toyota National Coll. Technol., Aichi, JPN) ,  TSUKAMOTO Takehiko (Toyota National Coll. Technol., Aichi, JPN) ,  SUGIURA Toko (Toyota National Coll. Technol., Aichi, JPN) ,  YAMADA Yoichi (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TABATA Takuya (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HONDA Yoshio (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMAGUCHI Masatoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO Hiroshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 8,Issue 2  ページ： 08JE10.1-08JE10.3  発行年： 2013年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光波長が485,515,555,580nmのInGaNナノワイヤの内部量子効率を光ルミネセンス(PL)分光法により調べた。励起パワー密度の関数として内部量子効率を解析し,低温における弱い励起条件下で約100%不変であることが分かった。これは非放射再結合過程の影響が低温で無視できる位小さいことを示唆した。発光波長を485nmから580nmへ伸ばすと,内部量子効率が5%から12%へ上昇した。局所状態のバンド充填効果に起因するPL青方偏移と内部量子効率の明確な相関が観測され,内部量子効率の上昇はIn組成増加に伴う励起子局在効果の増大を反映した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *量子効率 ,  再結合 ,  光ルミネセンス ,  *発光スペクトル ,  青方偏移 ,  励起子 ,  ナノワイヤ ,  波長依存性
準シソーラス用語： *内部量子効率 ,  非放射再結合

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (21件)：

• 1) A. Kikuchi, M. Kawai, M. Tada, and K. Kishino: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L1524.
• 2) H.-M. Kim, Y.-H. Cho, H. Lee, S. Il Kim, S. R. Ryu, D. Y. Kim, T. W. Kang, and K. S. Chung: Nano Lett. 4 (2004) 1059.
• 3) K. Kishino, A. Kikuchi, H. Sekiguchi, and S. Ishizawa: Proc. SPIE 6473 (2007) 64730T.
• 4) T. Kouno, K. Kishino, K. Yamano, and A. Kikuchi: Opt. Express 17 (2009) 20440.
• 5) H. Sekiguchi, K. Kishino, and A. Kikuchi: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 231104.

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaN ,  ナノワイヤ ,  内部量子効率 ,  波長依存性