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J-GLOBAL ID：200902202827832336   整理番号：05A0070477

(111)Si基板上に成長させたInGaN/GaN多重量子ディスクナノカラム発光ダイオード

InGaN/GaN Multiple Quantum Disk Nanocolumn Light-Emitting Diodes Grown on (111) Si Substrate

著者 (4件)： KIKUCHI A (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWAI M (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  TADA M (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KISHINO K (Sophia Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 12A  ページ： L1524-L1526  発行年： 2004年12月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいカラム構造のGaNナノカラムベースInGaN/GaN多...

シソーラス用語： *ナノ構造 ,...
準シソーラス用語： ナノカラム

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分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (19件)：

• 1) M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita and K. Kishino: Summaries, 23rd Int. Symp. Compound Semicond. St. Petersburg, Russia, 1996, 02.1.03.
• 2) M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita and K. Kishino: Inst. Phys. Conf. Ser. 155 (1997) 187.
• 3) M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita and K. Kishino: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L459.
• 4) M. Yoshizawa, A. Kikuchi, N. Fujita, K. Kushi, H. Sasamoto and K. Kishino: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 138.
• 5) M. A. S. Garcia, E. Calleja, E. Monroy, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Munoz and R. Beresford: J. Cryst. Growth 183 (1998) 23.

タイトルに関連する用語 (8件)： Si基板 ,  成長 ,  InGaN ,  GaN ,  多重 ,  量子ディスク ,  ナノカラム ,  発光ダイオード