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J-GLOBAL ID：201302256771790142   整理番号：13A0721910

シリコン上の条件付きエピタキシャルグラフェンのためのSi(110)基板上での3C-SiC(111)の高速回転エピタキシー

High-rate rotated epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate for qualified epitaxial graphene on silicon

著者 (7件)： SUEMITSU Maki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUEMITSU Maki (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SANBONSUGE Shota (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAITO Eiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  JUNG Myung-Ho (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUKIDOME Hirokazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FILIMONOV Sergey (Tomsk State Univ., RUS)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 740/742  ページ： 327-330  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  エピタキシャルグラフェン ,  Si ,  3C-SiC ,  高速回転 ,  エピタキシー