文献

J-GLOBAL ID：201302259905984622   整理番号：13A1763528

CoFeB/MgO磁気トンネル接合のキャップ層としてのTa-NならびにTi-N薄膜の作製

Preparation of Ta-N and Ti-N Thin Films as a Capping Layer of CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junctions

著者 (3件)： 杉原敦 (大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻) ,  大崎創一郎 (大阪大学工学部応用理工学科) ,  中谷亮一 (大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 77  号： 9  ページ： 398-401 (J-STAGE)  発行年： 2013年 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CoFeB/MgO/CoFeB三層構造からなる磁気トンネル接合(CoFeB/MgO-MTJ)は高いトンネル磁気抵抗(TMR)比を示し,次世代ワークメモリMRAMの記憶セルへの応用が期待されている。本研究では,MgO/CoFeB構造上に従来使用されているTaに代わるキャップ層材料としてTa-Nキャップ層ならびにTi-Nキャップ層を作製し,比抵抗,結晶構造,磁気特性を調べてキャップ層としての適合性を評価した。30%のN₂分圧率で作製したTiNがTaと比較して低い比抵抗,ナノ結晶質,高い熱的安定性,同程度のB吸収性を有していた。TiNがTaと比較してCoFeB/MgO-MTJのキャップ層として高い適合性を有していることが示唆された。

シソーラス用語： *MRAM ,  トンネル接合 ,  *保護膜 ,  *コバルト合金 ,  鉄含有合金 ,  ホウ素含有合金 ,  酸化マグネシウム ,  磁気抵抗 ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  タンタル化合物 ,  結晶構造 ,  *磁気的性質 ,  *微細構造 ,  窒素 ,  結晶度 ,  熱安定性 ,  イオンビームスパッタリング ,  焼なまし ,  X線回折分析 ,  磁力計 ,  電気抵抗 ,  FWHM ,  磁化率 ,  飽和磁化
準シソーラス用語： 磁気トンネル接合 ,  *キャップ層 ,  トンネル磁気抵抗 ,  窒化チタン ,  窒化タンタル ,  窒素雰囲気 ,  VSM【磁力計】

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (29件)：

• 1) S. Yuasa and D. D. Djayaprawira: J. Phys. D: Appl. Phys. 40(2007) R337–R354.
• 2) S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizinuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura and H. Ohno: Nature Mater. 9(2010) 721–724.
• 3) S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. Ashizawa, Y. M. Lee, K. Miura, H. Hasegawa, M. Tsunoda, F. Matsukura and H. Ohno: Appl. Phys. Lett. 93(2008) 082508–1-082508-3.
• 4) W. G. Wang, C. Ni, G. X. Miao, C. Weiland, L. R. Shah, X. Fan, P. Parson, J. Jordan-sweet, X. M. Kou, Y. P. Zhang, R. Stearrett, E. R. Nowak, R. Opila, J. S. Moodera and J. Q. Xiao: Phys. Rev. B 81(2010) 144406–1-144406-5.
• 5) C.-W. Cheng, W. Feng, G. Chern, C. M. Lee and T. Wu: J. Appl. Phys. 110(2011) 033916–1-033916-5.

タイトルに関連する用語 (7件)： MgO ,  磁気トンネル接合 ,  キャップ層 ,  Ta ,  Ti ,  薄膜 ,  作製