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J-GLOBAL ID：201302260832717262   整理番号：13A0048459

体積及び表面ドーピングによるトポロジカル絶縁体のキャリア制御

Controlling the carriers of topological insulators by bulk and surface doping

著者 (17件)： ZHOU Bo (SLAC National Accelerator Lab., CA, USA) ,  ZHOU Bo (Univ. Oxford, GBR) ,  ZHOU Bo (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  LIU Z K (SLAC National Accelerator Lab., CA, USA) ,  LIU Z K (Stanford Univ., CA, USA) ,  ANALYTIS J G (SLAC National Accelerator Lab., CA, USA) ,  IGARASHI K (Tokyo Inst. of Technol., Kanagawa, JPN) ,  MO S K (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  LU D H (SLAC National Accelerator Lab., CA, USA) ,  MOORE R G (SLAC National Accelerator Lab., CA, USA) ,  FISHER I R (SLAC National Accelerator Lab., CA, USA) ,  FISHER I R (Stanford Univ., CA, USA) ,  SASAGAWA T (Tokyo Inst. of Technol., Kanagawa, JPN) ,  SHEN Z X (SLAC National Accelerator Lab., CA, USA) ,  SHEN Z X (Stanford Univ., CA, USA) ,  HUSSAIN Z (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  CHEN Y L (Univ. Oxford, GBR)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 12  ページ： 124002,1-5  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *絶縁材料 ,  ドーピング ,  電子構造 ,  *キャリア ,  *バンド構造 ,  Fermi面 ,  テルル化物 ,  ビスマス化合物 ,  *絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： テルル化ビスマス

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 体積 ,  ドーピング ,  トポロジカル絶縁体 ,  キャリア