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J-GLOBAL ID：201302263465528708   整理番号：13A1722437

極薄AlO_x層によるHigh-k/Ge界面反応抑制とEOT=0.56nmの実現

著者 (8件)： 田中亮平 (大阪大 大学院) ,  秀島伊織 (大阪大 大学院) ,  箕浦佑也 (大阪大 大学院) ,  吉越章隆 (原子力機構) ,  寺岡有殿 (原子力機構) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.17P-B5-17  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *MOSFET ,  半導体薄膜 ,  誘電材料 ,  *ゲート【半導体】 ,  *積層構造 ,  酸化ゲルマニウム ,  酸化ハフニウム ,  *酸化アルミニウム ,  白金 ,  不均一系反応 ,  *超薄膜 ,  *膜厚 ,  抑制 ,  界面反応
準シソーラス用語： 高k材料 ,  *EOT ,  反応抑制

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： Ge ,  界面反応