イオン打込みによるBaSi<sub>2</sub>エピタキシャル膜の燐ドーピングに対する構造の研究

HARA K.o.; HARA K.o.; HOSHI Y.; USAMI N.; USAMI N.; SHIRAKI Y.; NAKAMURA K.; TOKO K.; SUEMASU T.; SUEMASU T.

文献

J-GLOBAL ID：201302264096441721 整理番号：13A0975107

イオン打込みによるBaSi₂エピタキシャル膜の燐ドーピングに対する構造の研究

Structural study on phosphorus doping of BaSi₂ epitaxial films by ion implantation

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資料名：
巻： 534 ページ： 470-473 発行年： 2013年05月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

P打込みと急速熱的アニーリングによりBaSi₂エピタキシャル膜の燐ドーピングについて構造的観点から調べた。ラマン分光法とX線回折により,P打込みによって少なくとも部分的にBaSi₂の結晶構造が破壊されることがわかった。Pの打込み量を1.0×10¹³から1.0×10¹⁵cm^-2に増加させると照射損傷も増大するが,600-700°Cにおいて30sの急速アニーリングにより除去できることをA₁モードラマンピークの半値全幅の変化から明らかにした。1.0×10¹⁵cm^-2のP打込み後の800°Cでのアニール処理によって,照射損傷に加えて金属で半導体膜には好ましい存在ではないBaSi₂準安定三方晶相が形成されることがわかった。さらに二次イオン分光法によって決定したPの深さプロフィルから,600および700°CでのアニーリングではP原子は表面およびBaSi₂/Si界面に偏析するが,800°CではP偏析が抑制されることがわかった。このように,P原子を半導体BaSi₂膜に効率的にドープするためのP打込み量とアニーリング温度に対する有益なガイドが得られた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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その他の無機化合物の薄膜 , その他の物質の放射線による構造と物性の変化

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