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J-GLOBAL ID：201302264145465003   整理番号：13A1899418

カーボンナノチューブ中の電子照射欠陥と印加応力の間の相関:分子動力学研究

Correlation between electron irradiation defects and applied stress in carbon nanotubes: A molecular dynamics study

著者 (5件)： YASUDA Masaaki (Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai, Osaka 599-8531, JPN) ,  CHIHARA Yoshinori (Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai, Osaka 599-8531, JPN) ,  TADA Kazuhiro (Dep. of Electrical and Control Systems Engineering, Toyama National Coll. of Technol., Toyama 939-8630, JPN) ,  KAWATA Hiroaki (Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai, Osaka 599-8531, JPN) ,  HIRAI Yoshihiko (Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai, Osaka 599-8531, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 31  号： 6  ページ： 06FF06-06FF06-6  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブ中の電子照射欠陥と印加応力の間の相関を分子動力学シミュレーションを行って調べた。電子照射効果は二元衝突理論を使ったモンテカルロ法でモデル化した。シミュレーションはノックオン欠陥の数は印加応力によって大きく影響されないことを示した。電子衝突は結合破壊やパンチアウト原子などの初期段階の欠陥を生ずる。印加応力は不平衡になり欠陥サイト付近に集中する。この偏った応力が駆動力となり,結合のずれやや回転を生じ,5角形-7角形対やStone-Wales欠陥を形成する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *電子照射 ,  *照射損傷 ,  計算機シミュレーション ,  モンテカルロ法 ,  *欠陥 ,  シミュレーションモデル ,  圧縮応力 ,  応力分布
準シソーラス用語： 分子動力学シミュレーション ,  *Stone-Wales欠陥

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (8件)： カーボンナノチューブ ,  電子 ,  照射欠陥 ,  印加 ,  応力 ,  相関 ,  分子動力学 ,  研究