X線光電子分光により研究したInAlN表面に及ぼす化学処理及び超薄Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>堆積の効果

AKAZAWA Masamichi; NAKANO Takuma

文献

J-GLOBAL ID：201302265591879462 整理番号：13A1418981

X線光電子分光により研究したInAlN表面に及ぼす化学処理及び超薄Al₂O₃堆積の効果

Effects of Chemical Treatments and Ultrathin Al₂O₃ Deposition on InAlN Surface Investigated by X-ray Photoelectron Spectroscopy

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=13A1418981&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=13A1418981&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 52 号： 8,Issue 2 ページ： 08JN23.1-08JN23.3 発行年： 2013年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

InAlN表面に及ぼす化学処理及びAl₂O₃堆積の効果を,X線光電子分光(XPS)により研究した。固有酸化物除去の程度に無関係に,In 4d内殻準位結合エネルギーは,無処理,HCl処理,及びHF処理InAlNに関して同じであった。これは,InAlN裸表面におけるFermi準位の強いピン止め傾向を示していた。しかし,In 4d結合エネルギーにおける300meV減少を,Al₂O₃の原子層堆積(ALD)後に観測し,InAlN表面における負表面ポテンシャルの増大を示していた。InAlN表面における静電荷の減少を議論した。(翻訳著者抄録)

, , , , , , , , , , , , , ,
, , ,

半導体薄膜 , 半導体の表面構造 , 試料技術

引用文献 (11件)：

J. Kuzmík: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 510.
M. Hiroki, N. Maeda, and T. Kobayashi: Appl. Phys. Express 1 (2008) 111102.
O. Ambacher, R. Dimitrov, M. Stutzmann, B. E. Foutz, M. J. Murphy, J. A. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Chumbes, B. Green, A. J. Sierakowski, W. J. Schaff, and L. F. Eastman: Phys. Status Solidi B 216 (1999) 381.
M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, and N. Shigekawa: Phys. Status Solidi C 8 (2011) 2139.
D. Briggs and M. P. Seah: Practical Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy (Wiley, New York, 1983) Chap. 4.

, , , , ,

前のページに戻る

X線光電子分光により研究したInAlN表面に及ぼす化学処理及び超薄Al2O3堆積の効果

X線光電子分光により研究したInAlN表面に及ぼす化学処理及び超薄Al₂O₃堆積の効果