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J-GLOBAL ID：200902214269409705   整理番号：08A1231553

平坦表面と高電子移動度を持つInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造の作製

Fabrication of an InAlN/AlGaN/AlN/GaN Heterostructure with a Flat Surface and High Electron Mobility

著者 (3件)： HIROKI Masanobu (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAEDA Narihiko (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI Takashi (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 11  ページ： 111102.1-111102.3  発行年： 2008年11月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により新しいInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造を作製した。AlGaN下地層の平坦表面により,得られた構造は通常のInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(rms粗さ=0.53nm)よりも平坦(rms粗さ=0.27nm)であった。新しい構造の電子移動度は1360cm²V^-1s^-1,Ns=1.85×10¹³cm^-2で,通常のものよりも高かった。通常の構造へのAlGaN層の挿入は表面形態と電子移動度の改善に効果的であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *キャリア移動度 ,  窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  *半導体材料 ,  インジウム化合物 ,  素子構造 ,  *MOCVD ,  表面粗さ ,  表面構造
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  ヘテロ構造 ,  有機金属気相エピタクシー ,  表面形態

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (16件)：

• BYKHOVSKI, A. J. Appl. Phys. 1993, 74, 6734
• BERNARDINI, F. Phys. Rev. B. 1997, 56, 10024
• KUZMIK, J. IEEE Electron Device Lett. 2001, 22, 510
• AMBACHER, O. Phys. Status Solidi B. 1999, 216, 381
• WALUKIEWICZ, W. J. Cryst. Growth. 2004, 269, 119

タイトルに関連する用語 (8件)： 平坦 ,  電子移動度 ,  InAlN ,  AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  作製