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J-GLOBAL ID：201302266445148410   整理番号：13A1882916

トレンチ埋め込みエピ方式のSuper Junction MOSFETの結晶欠陥低減と特性改善

600V-class Trench-Filling Super Junction Power MOSFETs for Low Loss and Low Leakage Current

著者 (5件)： 利田祐麻 (デンソー) ,  赤木望 (デンソー) ,  江口浩次 (デンソー) ,  小田洋平 (デンソー) ,  山本剛 (デンソー)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-13  号： 62-81  ページ： 79-83  発行年： 2013年10月21日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： トレンチ埋め込みエピ方式を用いて,SJ-MOSFETを量産できる手法の開発について述べた。ドレイン遮断電流,アバランシェ電流,ドレイン・ソース間オン抵抗,スイッチング損失,ならびにリカバリ耐量に関するデバイス特性試験を行った結果,トレンチエッチングのマスク材の変更とエッチング後のアニール条件を最適化することにより,課題である結晶欠陥発生の低減が確認された。ドレイン遮断電流は減少し,アバランシェ耐量が増加した。また,低オン抵抗,低スイッチング損失,ならびに高リカバリ耐量が得られ,量産可能なトレンチ埋め込みエピ方式の工程の構築に成功した。

シソーラス用語： 溝 ,  埋込み【挿入】 ,  半導体接合 ,  *MOSFET ,  *格子欠陥 ,  電気特性 ,  大量生産 ,  電気試験 ,  *電力トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (11件)：

• T. Fujihira : “Theory of semiconductor superjunction devices”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 36, pp. 6254-6262 (1997)
• P. M. Shenoy, A. Bhalla, G. M. Dolny : “Analysis of the Effect of Charge Imbalance on the Static and Dynamic Characteristics of the Super Junction MOSFET”, Proc, ISPSD, pp. 99-102 (1999)
• S. Yamauchi, T. Shibata, S. Nogami, T. Yamaoka, Y. Hattori, H. Yamaguchi : “200V Super Junction MOSFET Fabricated by High Aspect Ratio Trench Filling”, Proc. ISPSD, pp. 65-68 (2006)
• T. Shibata, Y. Noda, S. Yamauchi, S. Nogami, T. Yamaoka, Y. Hattori, H. Yamaguchi : “200V Trench Filling Type Super Junction MOSFET with Orthogonal Gate Structure”, Proc. ISPSD, pp. 37-40 (2007)
• J. Sakakibara, Y Noda, T. Shibata, S. Nogami, T. Yamaoka, H. Yamaguchi : “600V-class Super Junction MOSFET with High Aspect Ratio P/N Columns Structure”, Proc. ISPSD, pp. 299-302 (2008)

タイトルに関連する用語 (5件)： トレンチ ,  埋め込み ,  MOSFET ,  結晶欠陥 ,  特性改善