文献

J-GLOBAL ID：201302270436291959   整理番号：13A0528252

MEMS封止応用に対するナノ多孔性金

Nanoporous Gold for MEMS Packing Applications

著者 (6件)： LIN Yu-ching (WPI-AIMR, Tohoku Univ.) ,  WANG Wei-shan (Micro System Integration Center, Tohoku Univ.) ,  CHEN Lu Yang (WPI-AIMR, Tohoku Univ.) ,  CHEN Ming Wei (WPI-AIMR, Tohoku Univ.) ,  GESSNER Thomas (Fraunhofer ENAS and Chemnitz Univ. of Technol.) ,  ESASHI Masayoshi (WPI-AIMR, Tohoku Univ.)
資料名： 電気学会論文誌 E  (IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines)
巻： 133  号： 2  ページ： 31-36 (J-STAGE)  発行年： 2013年 
JST資料番号： L3098A  ISSN： 1341-8939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金-スズ合金の電着と脱合金化処理によるオンチップナノ多孔性金(NPG)製造法を開発し,マイクロ電気機械システム(MEMS)に応用するため圧縮体とナノ構造表面に使用した。新しいナノ構造化金を用いて電気接続性接触を得るため,陽極接合性低温共焼成セラミック(LTCC)基板を提案した。この多孔性構造は陽極接合中に電気接触を形成するスポンジ様機能を与える。ナノスケール多孔性を持つナノ多孔性金は高い反応性表面を有するので,接合温度を低減する接合処理の有望な候補である。ナノ多孔性金を用いて低温接合を実現した。この有望な結果はナノ多孔性金はMEMS封止応用に良好な可能性を持つことを意味する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MEMS ,  *多孔性 ,  金合金 ,  スズ合金 ,  電着 ,  脱金属 ,  *金 ,  *材料
準シソーラス用語： LTCC基板 ,  オンチップ ,  ナノ多孔性 ,  気密封止 ,  製造法 ,  接合温度 ,  脱合金化 ,  *封止材料

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (14件)：

• CHAE, J. Fabrication and Characterization of a Wafer-Level MEMS Vacuum Package With Vertical Feedthroughs. J. Microelectromech. Syst. 2008, 17, 193-200
• CHEN, P. H. Amorphous Si/Au wafer bonding. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 132120
• ESASHI, M. Wafer level packaging of MEMS. J. Micromech. Microeng. 2008, 18, 073001
• ERLEBACHER, J. D. Evolution of Nanoporosity in Dealloying. Nature. 2001, 410, 450-453
• QIAN, L. H. Surface enhanced Roman scattering of nanoporous gold : Smaller pore sizes stronger enhancements. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 153120

タイトルに関連する用語 (4件)： MEMS ,  封止 ,  応用 ,  ナノ多孔性