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J-GLOBAL ID：201302278712977003   整理番号：13A0780159

厚さを調節したAl誘導結晶化による絶縁体上の大きな粒状Si膜の配向制御

Orientation Control of Large-Grained Si Films on Insulators by Thickness-Modulated Al-Induced Crystallization

著者 (6件)： NUMATA Ryohei (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TOKO Kaoru (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SAITOH Noriyuki (Electron Microscope Facility, Tsukuba, JPN) ,  YOSHIZAWA Noriko (Electron Microscope Facility, Tsukuba, JPN) ,  USAMI Noritaka (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  SUEMASU Takashi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 13  号： 4  ページ： 1767-1770  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al/Siの厚さに依存する非晶質Si集束の低温(425°C)反転Al誘導層交換((AlILE)を研究した。Al層上に成長した多結晶Siの結晶配向をAl/Siの厚さを調節して[111]か[100]のどちらかに制御することができた。[111]配向分率は50nmの厚さの試料で97%にまで達した。対照的に[100]配向分率は200nmの厚さの試料で88%になった。さらに50nmの厚さの試料では直径68μmの大きさの粒子になった。配向制御によって形成されて大きな粒状の多結晶Si膜は先端材料,ナノワイヤー,およびSi薄膜太陽電池のエピタキシャルテンプレートとして有効である。

シソーラス用語： *アルミナ ,  薄膜 ,  基板 ,  *厚み ,  *ケイ素 ,  原子ビーム ,  ビーム集束 ,  *化学蒸着 ,  非晶質 ,  *結晶方位 ,  多結晶 ,  積層構造 ,  結晶粒度 ,  ナノワイヤ ,  太陽電池 ,  エピタクシー ,  *二酸化ケイ素 ,  ビーム
準シソーラス用語： *シリカ

分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 調節 ,  Al ,  誘導 ,  結晶化 ,  絶縁体 ,  Si膜 ,  配向制御