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J-GLOBAL ID：201302279570342273   整理番号：13A1864215

Si(100)およびSi(110)上に形成された超薄膜HfNゲート絶縁膜の電子特性と信頼性

Electrical Properties and Reliability of Ultrathin HfN Gate Insulator Formed on Si(100) and Si(110)

著者 (3件)： ATTHI Nithi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  HAN Dae-Hee (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  OHMI Shun-ichiro (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 247(SDM2013 88-98)  ページ： 5-9  発行年： 2013年10月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ECRプラズマスパッタリングで形成した高k HfNゲート絶縁膜の電子特性および信頼性について,そのシリコン基板方位依存性を研究した。500°C,20分のN₂/4.9%H₂フォーミングガスアニール(FGA)によって,界面層(IL)形成は抑制された。p-Si(100)上では,0.47nm,リーク電流1.1A/cm²(@V_FB-1V)の等価酸化膜が得られた。同様にp-Si(110)上では,0.51nm,リーク電流1.4A/cm²(@VFB-1V)の等価酸化膜が得られた。界面状態密度は,p-Si(100),p-Si(110)のいずれの場合にも,絶縁破壊なしに10¹¹cm^-2eV^-1オーダーであった。これは,酸素ベースのHfゲート絶縁膜の場合に比べ,界面層形成がないことやHfN膜のいわゆるゼロ界面層(ZIL)が,p-Si(110)基板上の電子特性の劣化を防いでいるということを意味している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化膜 ,  膜厚 ,  表面準位 ,  *結晶方位 ,  焼なまし ,  境界層 ,  *超薄膜 ,  *ハフニウム化合物 ,  *窒化物 ,  ケイ素 ,  スパッタリング ,  誘電体 ,  混合気体 ,  ECRプラズマ ,  電子構造 ,  信頼性 ,  *MIS構造 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： アニール処理 ,  フォーミングガス ,  プラズマスパッタリング ,  界面準位 ,  界面層 ,  高k誘電体 ,  *窒化ハフニウム ,  等価酸化膜厚

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  超薄膜 ,  ゲート絶縁膜 ,  電子