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J-GLOBAL ID:201302286405958320   整理番号:13A0676503

ナノフォトニックアレイの作製のための回折支援極端紫外線近接リソグラフィー

Diffraction-assisted extreme ultraviolet proximity lithography for fabrication of nanophotonic arrays
著者 (8件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 021602-021602-6  発行年: 2013年03月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 2166-2746  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本報では,極端紫外線(EUV)放射による近接リソグラフィーの可能性と限界を理論と実験で探求した。Xe/Ar放電プラズマEUV源からの10.88nmの波長をもつ部分コヒーレントEUV放射を利用して,各種ナノアンテナアレイの近接効果パターン形成を行った。実験結果を,数値スカラー回折シミュレーションの結果と比較し,Fresnel回折モードにおける近接プリンティングが,低分解能マスクでも高分解能特徴の作製を可能にすることを示し,レジストにおけるサブ30nmエッジ分解能を実証することに成功した。この方法の可能性を,円形及び三角形開口及び蝶ネクタイ型アンテナパターンを通してのパターン形成のシミュレーションにより追及した。結果は,近接効果ギャップの正確な制御及びシミュレーション支援マスク設計最適化と共に照射線量は,広範な高分解能構造を比較的単純な透過マスクを通してプリントすることを可能にした。この方法は,サブマイクロメータサイズナノフォトニックアレイの高性能作製にとくに適していた。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  アンテナ 
タイトルに関連する用語 (5件):
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