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J-GLOBAL ID：201302296751580895   整理番号：13A1899372

ポリジメチルシロキサンレプリカ成形用のポリテトラフルオロエチレンの直接エッチングに対するプロトンビーム書込みの適用

Application of proton beam writing for the direct etching of polytetrafluoroethylene for polydimethylsiloxane replica molding

著者 (2件)： NISHIKAWA Hiroyuki (Shibaura Inst. of Technol., 3-7-5 Toyosu, Koto-ku, Tokyo 135-8548, JPN) ,  HOZUMI Takashi (Shibaura Inst. of Technol., 3-7-5 Toyosu, Koto-ku, Tokyo 135-8548, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 31  号： 6  ページ： 06F403-06F403-5  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.0MeVプロトンビーム書込みを介したポリテトラフルオロエチレン(PTFE)の直接エッチング現象を報告した。0.9μC/mm²以上のフルエンスレベルで,PTFEの直接エッチングが走査電子顕微鏡で観測された。PTFE組成中のCF₂とCF₃結合の減少もFourier変換赤外解析を用いて観測し,PTFEの分解が直接エッチングプロセスに取り込まれていることを見出した。プロトンビームフルエンスを9.6μC/mm²まで増加すると,マイクロマシニング深さは約55μmまで増加した。これはPTFEへの1.0MeVプロトン入射に対する16.5μmという予測範囲よりも大きい。真空または空気中での200°C以上の温度での熱処理と組み合わせて,滑らかな側壁と滑らかな底面の孔が得られた。このPTFE直接エッチング技術は,ポリジメチルシロキサンレプリカ成形のためのPTFE成型物のプロトンビーム書込みによるマイクロマシニングの新しい可能性を開くであろう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ポリジメチルシロキサン ,  成形 ,  *ポリテトラフルオロエチレン ,  *エッチング ,  *リソグラフィー ,  *マイクロマシニング ,  レプリカ法 ,  *型 ,  放射線フルエンス ,  FTIR分光法 ,  顕微分光分析
準シソーラス用語： *プロトンビーム描画 ,  *成形型

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ポリテトラフルオロエチレン ,  エッチング ,  プロトンビーム ,  書込み