特許
J-GLOBAL ID：201303000170404600
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
筒井 大和
, 菅田 篤志
, 筒井 章子
, 坂次 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-105363
公開番号（公開出願番号）：特開2013-235873
出願日： 2012年05月02日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：
【課題】高電子移動度トランジスタにおいて、ノーマリオフ動作を維持したまま、オン抵抗を充分に低減でき、これによって、高電子移動度トランジスタを含む半導体装置の性能向上を図る。【解決手段】チャネル層CH1と電子供給層ES1との間に、電子供給層ES1のバンドギャップよりもバンドギャップの大きなスペーサ層SP1を設ける。これにより、スペーサ層SP1のバンドギャップが大きいことに起因して、チャネル層CH1と電子供給層ES1との界面近傍に高いポテンシャル障壁(電子障壁)が形成される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタを含む半導体装置であって、
前記電界効果トランジスタは、
(a)第1窒化物半導体層からなるチャネル層と、
(b)前記チャネル層上に形成された第2窒化物半導体層からなるスペーサ層と、
(c)前記スペーサ層上に形成された第3窒化物半導体層からなる電子供給層と、
(d)前記電子供給層上に形成されたソース電極と、
(e)前記ソース電極から離間して、前記電子供給層上に形成されたドレイン電極と、
(f)前記ソース電極と前記ドレイン電極で挟まれた前記電子供給層上に形成されたp型キャップ層と、
(g)前記p型キャップ層上に形成されたゲート電極と、を有し、
前記スペーサ層のバンドギャップは、前記電子供給層のバンドギャップよりも大きい半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102FA00
, 5F102FA02
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GD04
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM07
, 5F102GM08
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102GV05
, 5F102GV07
, 5F102HC01
, 5F102HC10
, 5F102HC11
, 5F102HC15
, 5F102HC19
, 5F102HC21
