特許
J-GLOBAL ID：201303000577930129

半導体装置及び半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-283326
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153156
出願日： 2012年12月26日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体層を含むボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体層に接して、絶縁層及び金属膜を積層させる。金属膜上から絶縁層及び金属膜に酸素ドープ処理を行うことによって、絶縁層に化学量論的組成よりも過剰に酸素を含む領域を形成するともに、金属膜を酸化し、金属酸化物膜を形成する。また、金属酸化物膜の抵抗率を、1×1010Ωm以上1×1019Ωm以下とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極層と、 前記ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極層と重畳する酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、 前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に設けられ、前記酸化物半導体層と接する絶縁層と、 前記絶縁層上に接して設けられた金属酸化物膜と、を有し、 前記金属酸化物膜の抵抗率が、1×1010Ωm以上1×1019Ωm以下である半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/146 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (7件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627F ,  H01L27/14 C ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (136件)：
2H092GA50 ,  2H092GA51 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092JA31 ,  2H092JA35 ,  2H092JA36 ,  2H092JA39 ,  2H092JA40 ,  2H092JA43 ,  2H092JB56 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA08 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA19 ,  2H092KB22 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA14 ,  2H092MA19 ,  2H092MA25 ,  2H092MA27 ,  2H092NA21 ,  2H092PA06 ,  2H092PA13 ,  2H092QA07 ,  2H092QA09 ,  2H092QA13 ,  2H092QA14 ,  2H092QA15 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107EE03 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB24 ,  4M118GA03 ,  4M118GB05 ,  4M118GB11 ,  5F110AA22 ,  5F110BB02 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD08 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HM02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN15 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (9件)
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