特許
J-GLOBAL ID：201303000698733002

基板加工方法及び基板加工装置

発明者：
国司 洋介

国司 洋介 について

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鈴木 秀樹

鈴木 秀樹 について

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松尾 利香

松尾 利香 について

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池野 順一

池野 順一 について


出願人/特許権者：
信越ポリマー株式会社

信越ポリマー株式会社 について

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国立大学法人埼玉大学

国立大学法人埼玉大学 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-023333
公開番号（公開出願番号）：特開2013-161976
出願日： 2012年02月06日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：
【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。【解決手段】レーザ光源150と、レーザ光源150からのレーザ光190を基板10の表面101に向けて照射し、基板10内部にレーザ光を集光するレーザ集光部160と、レーザ集光部160を基板10上に非接触に配置する位置決め手段とを有し、レーザ集光部160と基板10を相対的に移動させて、基板10内部に改質層14を形成するものであって、レーザ集光部160は、レーザ光190を光軸に軸対称に集光するとともに、基板10内部において、レーザ集光部160の外周部に入射した光が、レーザ集光部160の内周部に入射した光より、レーザ集光部160で集光するように構成されている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
結晶基板を加工する基板加工装置であって、 レーザ光源と、 前記レーザ光源からのレーザ光を基板の表面に向けて照射し、基板内部にレーザ光を集光するレーザ集光手段と、 前記レーザ集光手段を前記基板上に非接触に配置する位置決め手段とを有し、 前記レーザ集光手段と前記基板を相対的に移動させて、前記基板内部に改質層を形成するものであって、 前記レーザ集光手段は、レーザ光を光軸に軸対称に集光するとともに、前記基板内部において、前記レーザ集光手段の外周部に入射した光が、前記レーザ集光手段の内周部に入射した光より、前記レーザ集光手段側で集光するように構成されていることを特徴とする基板加工装置。
IPC (7件)：
H01L 21/304 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/06 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/08 ,  B28D 5/00
FI (7件)：
H01L21/304 611Z ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40 ,  B23K26/06 A ,  B23K26/00 H ,  B23K26/08 F ,  B28D5/00 Z
Fターム (14件)：
3C069AA01 ,  3C069BA08 ,  3C069CA04 ,  4E068AE01 ,  4E068CD01 ,  4E068CE02 ,  4E068CE04 ,  4E068DA10 ,  4E068DB11 ,  5F057BA12 ,  5F057BB03 ,  5F057BB09 ,  5F057DA19 ,  5F057DA22
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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