特許
J-GLOBAL ID：200903064584262900
レーザ加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
, 柴山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-253311
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078236
出願日： 2006年09月19日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】 パーティクルの発生を防止することができ、しかも、比較的小さな外力で、切断予定ラインに沿った加工対象物の切断を可能にするレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 切断予定ライン5に沿って、切断の起点となる6列の溶融処理領域131,132をシリコンウェハ11の内部に形成するが、加工対象物1の裏面21に最も近い溶融処理領域131を形成する際に、切断予定ライン5に沿って弱化領域18を裏面21に形成する。このように、溶融処理領域131,132がシリコンウェハ11の内部に形成されるため、溶融処理領域131,132からパーティクルが発生するのを防止することができる。しかも、所定の深さを有する弱化領域18が切断予定ライン5に沿って加工対象物1の裏面21に形成されるため、比較的小さな外力で、切断予定ライン5に沿って加工対象物1を切断することが可能となる。【選択図】 図18
請求項（抜粋）：
半導体基板を備える板状の加工対象物の一方の面をレーザ光入射面として前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、前記加工対象物の厚さ方向に並ぶように、切断の起点となる複数列の改質領域を前記半導体基板の内部に形成するレーザ加工方法であって、
複数列の前記改質領域のうち前記加工対象物の他方の面に最も近い改質領域を形成すると同時に、前記切断予定ラインに沿って、所定の深さを有する弱化領域を前記他方の面に形成する工程と、
複数列の前記改質領域のうち前記他方の面に最も近い前記改質領域以外の改質領域を形成する工程と、を含むことを特徴とするレーザ加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, B23K 26/38
, B23K 26/40
H01L21/78 B
, B23K26/38 320
, B23K26/40
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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