特許
J-GLOBAL ID：201103082023053470
基板加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
三好 秀和
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-014529
公開番号（公開出願番号）：特開2011-155070
出願日： 2010年01月26日
公開日（公表日）： 2011年08月11日
要約：
【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ基板の割れを防止し、製品率を向上させる。【解決手段】基板10上に非接触にレーザ集光手段16を配置する工程と、レーザ集光手段16により、基板10表面にレーザ光を照射し、基板内部にレーザ光を集光する工程と、レーザ集光手段16と基板10を相対的に移動させて、基板10内部に2次元状内部改質層12を形成する工程と、レーザ集光手段16と基板10を相対的に移動させて、2次元状内部改質層12のレーザ集光手段16側およびまたはレーザ集光手段16と反対側に少なくとも1層のパターン状改質層36を形成する工程と、基板10表面にパターン状改質層36を露出させる工程と、パターン状改質層36および2次元状内部改質層12をエッチングする工程とを有し、レーザ集光手段16と基板10の相対的な移動方向は、基板10の劈開方向と一致していない基板加工方法。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
基板上に非接触にレーザ集光手段を配置する工程と、
前記レーザ集光手段により、前記基板表面にレーザ光を照射し、前記基板内部にレーザ光を集光する工程と、
前記レーザ集光手段と前記基板を相対的に移動させて、前記基板内部に2次元状内部改質層を形成する工程と
を有し、前記レーザ集光手段と前記基板の相対的な移動方向は、前記基板の劈開方向と一致していないことを特徴とする基板加工方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304
, B23K 26/40
, B23K 26/04
, B23K 26/08
H01L21/304 611Z
, B23K26/40
, B23K26/04 C
, B23K26/08 B
4E068AE00
, 4E068CA11
, 4E068CE02
, 4E068DA10
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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