光モジュールおよびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：山川政樹 , 山川茂樹 , 小池勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-221548
公開番号（公開出願番号）：特開2013-083680
出願日： 2011年10月06日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：

【課題】石英系光導波路デバイスとフォトダイオードとが、同一基板上にモノリシックに集積できるようにする。【解決手段】光モジュールは、シリコン基板100と、シリコン基板100の上に形成されたSiO2からなる下部クラッド層101と、下部クラッド層101の上の第1領域110に形成されたゲルマニウムフォトダイオード110aと、下部クラッド層101の上の第1領域110に連続する第2領域120に形成されたシリコンコア121と、第2領域120の一部から第2領域120に連続する第3領域130にかけて形成された石英コア131とを備える。また、ゲルマニウムフォトダイオード110a,シリコンコア121,および石英コア131の上に形成されたSiO2からなる上部クラッド層103を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲルマニウムフォトダイオード、シリコンコアからなるシリコン光導波路、石英コアからなる石英光導波路がこれらの順に接続した光モジュールの製造方法であって、シリコン基板の上にSiO2からなる下部クラッド層を形成する工程と、前記下部クラッド層の上にシリコン層を形成する工程と、前記シリコン層をパターニングして第1領域に下部シリコンパターンを形成するとともに、前記第1領域に連続する第2領域に前記シリコンコアを形成する工程と、前記下部シリコンパターンおよび前記シリコンコアを覆って前記下部クラッド層の上に、SiO2より酸素の組成比が少ない酸化シリコン層を形成する工程と、前記酸化シリコン層の前記下部シリコンパターンの上部に開口部を形成する工程と、前記酸化シリコン層を選択成長マスクとして前記開口部の底部の前記下部シリコンパターンの上にゲルマニウムを選択的に成長してゲルマニウムパターンを形成し、前記下部シリコンパターンおよび前記ゲルマニウムパターンよりなる前記ゲルマニウムフォトダイオードを形成する工程と、前記酸化シリコン層をパターニングすることで前記第2領域の一部から前記第2領域に連続する第3領域にかけて前記石英コアを形成する工程と、前記ゲルマニウムフォトダイオード,前記シリコンコア,および前記石英コアの上にSiO2からなる上部クラッド層を形成する工程とを少なくとも備えることを特徴とする光モジュールの製造方法。

IPC (4件)：

G02B 6/13 , G02B 6/122 , G02B 6/42 , H01L 31/10

FI (4件)：

G02B6/12 M , G02B6/12 B , G02B6/42 , H01L31/10 A

Fターム (33件)：

2H137AB12 , 2H137AC01 , 2H137AC06 , 2H137BA52 , 2H137BA53 , 2H137BB12 , 2H137BB25 , 2H137BB26 , 2H137BB33 , 2H137EA04 , 2H137EA05 , 2H147AB05 , 2H147DA09 , 2H147EA12A , 2H147EA13A , 2H147EA13C , 2H147EA14A , 2H147EA14B , 2H147FA03 , 2H147FA05 , 2H147FA13 , 2H147FB13 , 2H147FC01 , 2H147FF05 , 2H147FF06 , 2H147GA10 , 5F049MA04 , 5F049MB02 , 5F049NA20 , 5F049NB01 , 5F049RA06 , 5F049SS03 , 5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

光検出器の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-047582 出願人：日本電信電話株式会社, 国立大学法人東京大学
光学素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-364889 出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 201106, Vol.17,No.3, 516-525

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